等离子增强型原子层沉积设备（ALD）-TFS200

Beneq TFS 200 专为学术和企业研发而设计，是一款用途广泛的原子层沉积 （ALD） 平台，可在真正的 ALD 模式下提供zhuoyue的薄膜质量。

该系统的模块化架构允许进行广泛的升级，确保它可以随着您的研究需求而发展，无论多么复杂。 Beneq TFS 200 支持在各种基板上沉积，包括晶圆、平面物体、多孔材料和具有高深宽比 （HAR） 功能的复杂 3D 结构，即使在KE刻的应用中也能实现精确镀膜。

*的 PEALD 功能

Beneq TFS 200 标配直接和远程等离子体增强原子层沉积 （PEALD）。利用电容耦合等离子体 （CCP） 源（行业标准），它有助于从研发到生产环境的平稳过渡。该系统支持在最大 200 mm 的基板上进行 PEALD 工艺。

针对效率和精度进行了优化

•    纯 ALD 模式经过优化，可实现快速、精确的薄膜生长

•    HAR 功能适用于具有挑战性的结构，例如通孔和多孔衬底

•    冷壁真空室内的热壁反应室，可实现均匀的热量分布和快速的腔室更换

•    全面的升级选项，满足高级研究需求

•    装载锁、盒式装载机和手套箱，用于在受控气氛下快速传输基板

技术信息：

示例应用：

•    用于阻挡应用的 Al2 O3 ALD

•    半导体应用中的 HfO2、SiO2 和 SiN ALD

•    用于光伏电池的 SnO2 ALD

•    用于超导体应用的 TiN 和 NbN ALD模块